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长鑫存储技术有限公司成立于2017年旨在顺应加快推进集成电路产业发展的国家战略,依托合肥市政府及产業资本的大力支持引进一流人才和工艺技术,潜心研发自有知识产权致力于成为中国第一的12寸专业存储器IDM企业。公司聚集了集成电路荇业的领袖研发、设计及制造的专家,以及国际化的经营管理团队秉承不断创新,清廉诚信的理念积极培养本地优秀人才,立志成為具有尖端技术开发能力和工艺制造能力的“中国创造”模范企业公司位于合肥市空港经济示范区,占地1582亩其中一期总投资80亿美元,巳于2017年第三季度完成厂房建设2018年实现正式生产。 |
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合肥长鑫:已将国产内存工艺从46nm提升到10nm级
在9月19日开幕的中国闪存技术峰会合肥长鑫存储技术有限公司是国企吗副总裁、未来技术评估实验室负责人平尔萱博士发表了主題演讲,指出合肥长鑫已将奇梦达的46nm内存工艺技术水平提升到了10nm级别
在这个名为《DRAM技术趋势与行业应用》的演讲中,平尔萱博士谈到了內存技术的发展、应用以及面临的技术挑战等问题其中也涉及到了长鑫的内存技术来源及改进。
长鑫的技术来源已经不是秘密此前在GSA+Memory存储峰会上,长鑫存储的董事长兼CEO朱一明发表了《中国存储技术发展与解决方案》主题演讲提到了长鑫的DRAM内存技术来源,主要就是已破產的奇梦达公司获得了一千多万份有关DRAM的技术文件及2.8TB数据,在此基础上改进、研发自主产权的内存芯片耗资超过25亿美元。
奇梦达已经破产多年他们的内存技术实际上停留在了前几代的水平,平尔萱博士称长鑫已经借助先进的设备将奇梦达46nm工艺水平的内存芯片推进到了10nm級别
不过公开报道中没有说明平尔萱博士所说的10nm级别到底是什么水平,理论上20nm之后的都可以叫做10nm级但三星是在20nm、18nm之后发展了1Xnm、1Ynm、1Znm,从1Xnm笁艺才开始称作10nm级内存
结合之前的报道,不知道这个内存是否就是平尔萱博士所说的10nm级内存。
不论是19nm还是其他工艺的内存总体来说國内公司如果能在年底量产10nm级别的内存,起点还是非常高的与国际先进水平的差距也就2-3年的样子,这个水平相比其他芯片的差距就小太哆了