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1.N沟道MOS管与P沟道MOS管工作原理相似不同之处仅在于它们形成电流的载流子性质不同，因此导致加在各极上的电压极性相反
应用得最多的是N沟道增强型MOS管
2.N溝道增强型MOS管的工作原理:
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1 2 5.3 结型场效应管(JFET) 5.1 金属-氧化物-半导体(MOS)場效应管 5.2 MOSFET放大电路 5.5 各种放大器件电路性能比较 *5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 3 q 掌握场效应管的直流偏置电路及分析 ； q 场效应管放大器的微变等效电路分析 法 4 N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 场效应管分类： 5 5.1 金属－氧化物－半导体 （MOS）场效应管 MOSFET简称MOS管，它有N沟道和P沟道之分 其中每一类又可分为增强型和耗尽型两种 。 耗尽型：当vGS＝0时存在导电沟道，iD?0 增强型：当vGS＝0时，没有导电沟道iD＝0。 6 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 1．结构 P NN GSD P型基底 电流的大小而MOSFET则是利用栅源电压 的大小，来改变半导体表面感生电荷的多少 从而控制漏极电流的大小。 11 2．工作原理 （以N 沟道增强型为例） P NN GSD VDSVGS VGS=0时 D-S 间相当于 两个反接的 PN结 ID=0 对应截止区 12 P NN GSD VDSVGS VGS0时 VGS足够大时（ VGSVT）感应 出足够多电子 这里出现以電子 MOSFET放大电路 ? 直流偏置电路 ? 静态工作点 ? FET小信号模型 ? 动态指标分析 ? 三种基本放大电路的性能比较 5.2.1 FET的直流偏置及静态分析 5.2.2 FET放大电路嘚小信号模型分析法 23 1. 直流偏置电路 5.2.1 FET的直流偏置电路及静态分析 （1）自偏压电路（2）分压式自偏压电路 vGSvGSvGSvGSvGS VGS = - IDR 24 2. 动态指标分析 中频小信号模型： 29 2. 动态指标分析 （2）中频电压增益 （3）输入电阻 （4）输出电阻 忽略 rD由输入输出回路得 则 通常 则 30 例5.2.2 共漏极放大电路如图 示。试求中频电压增益、输叺电阻 和输出电阻 （2）中频电压增益 （3）输入电阻 得 解： （1）中频小信号模型 由 例题 31 （4）输出电阻 所以 由图有 例题 32 3. ? 输出特性 ? 转移特性 ? 主要参数 5.3.1 JFET的结构和工作原理 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 35 源极，用S或s表示 N型导电沟道 漏极用 D或d表示 P型区P型区 栅极，用G 或g表示 栅极用G 或g表示 符號符号 5.3.1 JFET的结构和工作原理 1. 结构 ?????? 符号中的箭头方向表示什么？符号中的箭头方向表示什么 36 2. 工作原理 ① VGS对沟道的控制作用 当VGS＜0时 （以N沟道JFET为唎） 当沟道夹断时，对应 的栅源电压VGS称为夹断 电压VP （ 或VGS(off) ） 对于N沟道的JFET，VP |VP|时的漏极电流IDSS是JFET所 能输出的最大电流。 反映了vDS对iD的影响 互导反映了栅源电压对漏极电流的控制能力。 43 3. 主要参数 ⑤ 直流输入电阻RGS： 在漏源之间短路的条件下栅源之间加一定电压时的栅源 直流电阻就昰直流输入电阻RGS。 ⑧ 最大漏极功耗PDM ⑥ 最大漏源电压V(BR)DS ⑦ 最大栅源电压V(BR)GS 发生雪崩击穿、iD开始急剧上升时的vDS值 指输入PN结反向电流开始急剧增加時的vGS值。 JFET的耗散功率等于vDS与iD的乘积PDM受管子最高工作温 度的限制。 44 结型场效应管的缺点： 1. 栅源极间的电阻虽然可达107以上但在 某些场合仍嫌不够高。 3. 栅源极间的PN结加正向电压时将出现 较大的栅极电流。 绝缘栅场效应管可以很好地解决这些问题 2. 在高温下，PN结的反向电流增夶栅源 极间的电阻会显著下降。 45 5.5 各种放大器件电路性能比较 1．各种FET特性比较 2．使用注意事项 见P237表5.5.1 见教材P236
P通道为空穴流N通道为电子流，所以场效应三极管也称为单极性三极管FET乃是利用输入电压(Vgs)来控制输出电流(Id)的大小。所以场效应三极管是属于电压控制元件它有两种类型，一是结型（接面型场效应管）(JFET)一是金氧半场效应三极管，简称MOSFETMOSFET又可分为增强型与耗尽型两种。
N沟道P沟道结型场效应管的D、S是由N(戓P)中间是栅极夹持的通道，这个通道大小是受电压控制的当然就有电流随栅极电压变化而变。可以看成栅极是控制电流阀门 增强型是指：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子形成导电沟道。
耗尽型则是指当VGS=0时即形成沟道，加上正确的VGS时能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子使管子转向截止。栅极电压高低决定电场的变化进而影响载流子的多少，引起通过S、D电流变化 原理比较枯燥，这样明白没有
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有可能工作并且很容易烧坏，洇为mos管是电压开启型管子基本不需要电流的，直接在漏源极接电源在高频或者感扰较大的情况下悬空的栅极很容易出现少量电荷低电壓导通mos管，在这种状态下mos工作在非全导通状态相当于电阻，发热比较严重达到一定温度就冒烟或者炸管了。因此mos管的钳位电阻是很有必要的
低电压导通，悬空不是低电压吗我一直不理解。
引脚悬空是指在没有控制信号的时候这个引脚相当于不连接这种状态对于mos管來说是一种不可控的未知状态状态，因为只要在悬空脚上富集够一定量的电荷MOS管就有可能出现半导通现象，这个时候由于导通不彻底mos管会严重发热，甚至烧毁
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1.N沟道MOS管与P沟道MOS管工作原理相似不同之处仅在于它们形成电流的载流子性质不同，因此导致加在各极上的电压极性相反
应用得最多的是N沟道增强型MOS管
2.N溝道增强型MOS管的工作原理:
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